瑞萨电子的混合动力车及电动汽车（HEV/EV）马达驱动用参考逆变器，在“Embedded Technology 2013/嵌入综合技术展”上展出。同样的逆变器曾在2013年1月举行的“第五届国际汽车电子技术展”（“Automotive World 2013”内）上展出过，但此次更新了逆变器的组成器件，提高了性能等。
    与上次一样，此次也展示了供永磁IPM（Interior Permanent Magnet）马达使用的参考逆变器，和供无稀土SR（Switched Reluctance）马达使用的参考逆变器。据展台上的解说员介绍，瑞萨的优势在于构成逆变器的主要半导体器件全部由该公司开发。
    具体的器件为MCU、前级驱动器和IGBT。其中，配备在此次参考逆变器上的前级驱动器，是瑞萨电子于2013年4月发表的“R2A25110KSP/R2A25112KSP”。该驱动器将微型隔离器收在同一封装中，使逆变器整体实现了小型化。据称，IGBT是已完成原型设计的第7代产品。与使用外置于隔离器的光耦以及现有的第6代IGBT逆变器相比，整体尺寸减小57％，效率提高了9％以上。
    关于MCU，瑞萨强调了其常年在开发并提供HEV/EV马达控制专用产品的成绩。该MCU将其他公司产品需要外置的FPGA及A-D转换器集成在了一枚芯片之中，为逆变器实现小型化做出了贡献。另外，瑞萨还面向HEV/EV马达驱动用途销售“V850 E2/Px4”等，并且在推进采用40nm工艺，属于内置闪存的车载MCU“RH850系列”一员的“RH850/C1x”的开发。该公司的展板上介绍，RH850/C1x有望于2015年推出。